由贝尔实验室颁发的贝尔实验室奖是一项年度竞赛，来自世界各地的研究人员提交“将定义下一次工业革命的颠覆性创新”提案。参与者与诺基亚贝尔实验室的研究人员配对，以完善他们的想法，最终将其展示给专家小组和行业领导者。

　　今年电气与系统工程系副教授深贾里瓦拉和材料科学与工程系的Robert D. Bent教授特洛伊·奥尔森，和物质结构研究实验室主任，因其开发的计算机存储器而获得最高奖项，该计算机存储器将更有效地处理数据密集型应用程序的计算需求。

　　“为了完成它的工作，机器学习或人工智能应用程序需要将一堆数据移动到处理器中，它对这些数据进行一些处理，并将这组新数据存储在内存中，然后它再次这样做，由于需要不断移动这些庞大的数据集，计算会窒息或减慢速度。”贾里瓦拉说。

　　该团队的专业知识在纳米制造和电子存储器领域相交。一等奖获奖提案展示了一种基于铁电二极管的存储器器件原型，该器件具有新的存储器架构，通过将存储器移近处理源来减少延迟，并允许在存储器本身中执行许多处理功能。

　　其结果是一个超高密度、超低功耗的存储设备，允许处理大量数据的速度比传统计算架构快得多。这种芯片技术可以大大优化人工智能系统，同时提高搜索引擎等大数据服务的速度。

　　不得不说，宾夕法尼亚大学工程学院的产出是非常高的，从该学校毕业的学生在很大程度上均能为学校或者社会创造不同程度的影响，因此建议申请的同学们一定要及早准备，如果您还不知道从何做起，那么，托普仕老师就是您最好的选择！

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