美国电子工程专业主要是以开展科学研究为目的的,学生可以通过参加各种类型的科学研究,对电子工程中的某些具体问题进行深入的研究。申请美国电子工程硕士院校的难度也分为好几个梯度,但一般对申请者背景要求还是很严格。以下内容就来带大家了解一下美国电子工程专业院校申请难度梯队。
一、美国电子工程专业院校申请难度第一梯队
代表院校:
斯坦福大学(Stanford University)
麻省理工学院(MIT):不收Master
加州理工学院(Caltech)
普林斯顿大学(Princeton University):硕士项目主要面向本校MSEE学生
申请难度分析:
建议申请这些学校的同学们GPA可以达到3.8以上,托福达到108甚至110分以上,GRE需要达到328以上。
要求申请者在学术成绩和EE领域高级课程上表现出色。
需要参与重大科研项目,并有高水平论文(如SCI二区及以上期刊)发表。
二、美国电子工程专业院校申请难度第二梯队
代表院校:
加州大学伯克利分校(UC Berkeley)
加州大学洛杉矶分校(UCLA)
卡内基梅隆大学(CMU)
申请难度分析:
一般要求GPA 3.7+、托福105+、GRE 325+。
非985的优秀学生同样有机会,只需在软实力和科研上突出表现。
三、美国电子工程专业院校申请难度第三梯队
代表院校:
哥伦比亚大学(Columbia University)
宾夕法尼亚大学(UPenn)
康奈尔大学(Cornell University)
密歇根大学安娜堡分校(UMich)
佐治亚理工学院(Gatech)
伊利诺伊大学香槟分校(UIUC)
申请难度分析:
这些学校建议同学们的GPA可以达到3.5-3.6以上,托福可以达到103以上,GRE达到321以上。
四、美国电子工程专业院校申请难度第四梯队
南加州大学(USC)
普渡大学(Purdue University)
威斯康星大学麦迪逊分校(UW-Madison)
德州农工大学(Texas A&M University)
加州大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)
申请难度分析:
GPA 3.3+、托福100+、GRE 320+即可积极尝试。
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